Alianza de Intel, Samsung y TSMC en procesos de fabricación de obleas de silicio
Las compañías van a cooperar con el sector de los semiconductores para asegurar que se desarrollan y prueban todos los componentes, las infraestructuras y las prestaciones necesarias para la puesta en marcha de un proyecto piloto para 2012.
Históricamente, la fabricación con obleas de mayor tamaño ha permitido aumentar la capacidad para producir semiconductores a un coste menor. El área total de la superficie de silicio de una oblea de 450mm y la cantidad de oblea impresa (los procesadores informáticos individuales, por ejemplo) es más del doble de lo que ofrece una oblea de 300mm. Las obleas de mayor tamaño ayudan a reducir los costes de producción por procesador. Asimismo, gracias al empleo más eficiente de energía, de las mismas obleas y de otros recursos, las obleas de mayor tamaño pueden reducir el empleo general de recursos por procesador. De esta forma, la conversión de obleas de 200mm a obleas de 300mm permite disminuir las emisiones combinadas de contaminación del aire, gases de efecto invernadero y agua por procesador, aunque se espera unas mayores reducciones con la transición a obleas de 450mm.
"Nuestro sector cuenta con un largo historial en innovación y resolución de problemas, lo que ha permitido que las transiciones a obleas de mayor tamaño reduzcan los costes por área de silicio procesado y fomenten un crecimiento general del sector," ha afirmado Bob Bruck, vicepresidente y director general de Ingeniería para Fabricación de Tecnología en el Grupo de Tecnología y Fabricación de Intel. "Nosotros, junto a Samsung y TSMC, hemos acordado que la transición a obleas de 450mm siga el mismo patrón a la hora de ofrecer un incremento de valor a nuestros clientes."
La confianza en este proyecto se ve reflejada en las palabras de Cheong-Woo Byun, vicepresidente primero del Centro de Operaciones para Fabricación de Memorias de Samsung Electronics, "La transición a obleas de 450mm va a beneficiar a todo el ecosistema del sector de la Comunicación y de la Información (CI).Para ello, Intel, Samsung y TSMC van a colaborar conjuntamente con suministradores y con otros fabricantes de semiconductores para desarrollar activamente prestaciones diseñadas para utilizar obleas de 450mm"
Hasta la fecha, la migración a obleas de mayor tamaño ha comenzado tradicionalmente unos 10 años después de la última transición. Siguiendo este esquema, el sector comenzó la transición a obleas de 300mm en el año 2001, una década después de la puesta en marcha de las instalaciones para fabricación (conocidas como "fabs") que utilizaban obleas de 200 mm en el año 1991.
En base a este ritmo de crecimiento histórico, las tres grandes compañias han acordado que el año 2012 puede ser una fecha apropiada para comenzar la transición al proceso de fabricación con obleas de 450mm. Dada la complejidad a la hora de integrar todos los componentes para una transición de este tamaño, las compañías reconocen que la evaluación permanente de la fecha acordada será esencial para garantizar la preparación de todo el sector.
"El aumento de costes debido a la complejidad de la tecnología avanzada es una preocupación para el futuro, " ha comentado Mark Liu, vicepresidente primero de Negocios Tecnológicos Avanzados de TSMC. "Intel, Samsung, y TSMC piensan que la transición a obleas de 450mm puede ser una solución potencial para mantener una estructura de costes razonable en el sector.
Las tres compañías van a seguir colaborando para trabajar con el International Sematech (ISMI), debido a su papel clave como coordinador de los esfuerzos del sector para el suministro de obleas de 450mm, además de su participación en el establecimiento de estándares y en el desarrollo de prestaciones para facilitar bancos de pruebas para equipos.
Podéis consultar información al respecto del complicado proceso que va desde la fabricación de un lingote de silicio hasta su posterior procesado en obleas y de estas, en microprocesadores, en diferentes documentos existentes en la red, como por ejemplo este pdf o esta presentación en powerpoint realizada por un alumno de la Universidad de Granada.
Comentarios.
Lo cierto es que las obleas grandes son problemáticas por varios conceptos: el riesgo de impurezas (que aumenta estadísticamente con la superficie de la oblea) y la estabilidad necesaria en gestión de la temperatura en el sistema de crecimiento del cristal.
Esto se aprecia en la foto del artículo. El "pepino" es un cristal que aparece tumbado, pero que "crece" en vertical. Sobre el "magma" de silicio puro caliente un "dedo" metálico desciende lentamente hasta entrar en contacto con el, y empieza a subir muy despacio. Por la tensión superficial el líquido se adhiere al dedo y conforme se enfría se solidifica formando el cristal de silicio. La cuba que tiene el silicio líquido va girando lentamente y la pieza que se va formando (el "pepino") es cada vez más gruesa.
Esa pieza se corta en finas rodajas que son las obleas y que por procedimientos fotográficos de alta precisión se "contaminan" formanto circuitos con diferentes polaridades que en última instancia constituyen los transistores
Por cierto, me suena que Antonio Luque sea un profesor y no un alumno. Al menos si se trata de la misma persona que fue profesor mio en Teleco hace unos años
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